中国科学院半导体研究所研究员

——闫建昌

闫建昌，菏泽一中1997级校友，2000年高考荣膺山东省理科状元，进入清华大学电子工程系学习，2004年保送至中国科学院半导体研究所硕博连读，2009年获得工学博士学位，随后在中国科学院半导体研究所工作至今，现为中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。其中，2015至2016年，闫建昌博士作为公派访问学者在巴黎南大学研究学习。

闫建昌博士长期从事半导体发光材料和器件的研究，在基于氮化镓（GaN）半导体材料的紫外发光二极管（UV LED）领域取得了突出的研究成果，先后负责了国家863计划任务、自然科学基金项目、重点研发计划项目等多项重要国家级科研任务。闫建昌博士率先提出并引领了深紫外LED的纳米图形衬底外延技术，引领了领域研究方向，被氮化物半导体领域权威、2014年度诺贝尔物理学奖得主Hiroshi Amano教授评价为“一项重大突破”(an important breakthrough)。发表学术论文100余篇，获授权发明专利十余项。担任第三届国际紫外材料和器件研讨会（IWUMD 2018）组织委员会主席，2020年受国际半导体照明联盟（ISA）邀请，在第七次金砖国家半导体照明合作工作组会议做大会首个主旨报告。获得国家自然科学基金优秀青年基金支持，入选 CASA第三代半导体卓越创新青年、中国科学院青年创新促进会优秀会员、山西省“三晋英才”支持计划高端领军人才、北京市科技新星计划，中国光学工程学会高级会员。

2018年闫建昌博士联合创建山西中科潞安紫外光电科技有限公司，中科潞安年产3000万颗深紫外LED芯片线建成并投产，实现了深紫外LED核心芯片器件国产化。经中国科学院武汉病毒研究所权威测试，深紫外LED光源在秒级时间对“新冠”病毒杀菌率达到99.99%，率先实现了深紫外LED技术在机场、高铁、医院等公共卫生领域示范应用，填补了国内深紫外LED公共卫生安全科技防疫技术空白。中科潞安为2022北京冬奥会提供了基于深紫外LED技术的多种消杀防疫产品，因此，闫建昌博士荣获科技部表彰。

在菏泽一中三年高中生活和学习给闫建昌博士留下了终生难忘的印象，无论是学到的知识，还是磨砺的品格都使其受益至今。对于母校的感情也愈来愈深，无论走多远，对母校一直牵挂于心。值此菏泽一中一百二十周年庆之际，祝愿母校生日快乐，蒸蒸日上，继往开来，再谱华章！